ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
TSM4N60ECH C5G
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Taiwan Semiconductor Corporation
ເລະທີ່ສ່ວນ:
TSM4N60ECH C5G-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 86.2W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
ສິນຄ້າ:
12899272
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
TSM4N60ECH C5G ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Taiwan Semiconductor
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
545 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
86.2W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-251 (IPAK)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
TSM4N60
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,750
ຊື່ ອື່ນໆ
TSM4N60ECH C5G-DG
TSM4N60ECHC5G
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IPS80R2K4P7AKMA1
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IPS80R2K4P7AKMA1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.37
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
TSM4NB60CH C5G
ຜູ້ຜະລິດ
Taiwan Semiconductor Corporation
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
22491
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
TSM4NB60CH C5G-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.35
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
DMS2120LFWB-7
MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN
BUK9840-55,115
MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
TSM061NA03CR RLG
MOSFET N-CH 30V 88A 8PDFN
